用于氣態(tài)氟化氫刻蝕二氧化硅的刻蝕腔體及其刻蝕系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410354793.7 申請日 -
公開（公告）號 CN104103561B 公開（公告）日 2016-08-24
申請公布號 CN104103561B 申請公布日 2016-08-24
分類號 H01L21/67(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 龐克儉;江西元;邵蘇予;劉勝偉 申請（專利權(quán)）人 河北省再擔(dān)保有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 河北神通光電科技有限公司
地址 050227 河北省石家莊市鹿泉經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)昌盛大街21號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于氣態(tài)氟化氫刻蝕二氧化硅的刻蝕腔體及其系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：刻蝕腔體、氣體產(chǎn)生裝置和控制系統(tǒng)，氣體產(chǎn)生裝置用于將產(chǎn)生的刻蝕氣體、氮氣和乙醇?xì)怏w進(jìn)行混合輸入到刻蝕腔體內(nèi)，所述刻蝕腔體上設(shè)有進(jìn)氣口和出氣口，刻蝕腔體內(nèi)設(shè)有旋轉(zhuǎn)平臺、加熱器和氣體勻流裝置，進(jìn)入刻蝕腔體的混合氣體通過氣體勻流裝置進(jìn)行充分混合，旋轉(zhuǎn)平臺上放置有待刻蝕的半導(dǎo)體器件，控制系統(tǒng)控制氣體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生混合氣體，混合氣體在刻蝕腔體內(nèi)充分混合，控制系統(tǒng)控制旋轉(zhuǎn)平臺轉(zhuǎn)動并控制加熱器進(jìn)行加熱。