一種硅基固態(tài)納米孔及制備方法、硅基固態(tài)納米孔測序儀
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010521146.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111634882B | 公開（公告）日 | 2021-04-23 |
| 申請公布號 | CN111634882B | 申請公布日 | 2021-04-23 |
| 分類號 | C12Q1/6869(2018.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B82Y15/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 莫暉;張新聯(lián);高振兵;尹良超 | 申請（專利權(quán)）人 | 深圳市儒翰基因科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳協(xié)成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 章小燕 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道麻嶺社區(qū)科研路9號比克科技大廈701701E | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種硅基固態(tài)納米孔及制備方法、硅基固態(tài)納米孔測序儀，所述方法包括：采用硅基薄膜生長刻蝕技術(shù)在硅襯底上形成多晶硅層和介質(zhì)層的夾心結(jié)構(gòu)；采用硅通孔TSV技術(shù)在晶圓上形成微觀流體通道；采用靜電釋放ESD在介質(zhì)層中形成介質(zhì)層針孔；采用濕法刻蝕對介質(zhì)層針孔刻蝕形成貫穿介質(zhì)層到微觀流體通道的懸空納米級針孔。通過本發(fā)明實施例，以硅基半導(dǎo)體晶圓制造技術(shù)為依托，使硅基固態(tài)納米孔的制備可以和CMOS集成電路制造技術(shù)兼容，并為批量的CMOS和固態(tài)納米孔集成提供了制造技術(shù)；并且，采用本實施例的固態(tài)納米孔來進(jìn)行DNA和/或RNA測序，可以極大地提高了納米孔測序的成功率，從而可以大大縮短測序的時間。?? |
