一種DNA測(cè)序裝置、固態(tài)納米孔組件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022589183.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213866216U 公開（公告）日 2021-08-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN213866216U 申請(qǐng)公布日 2021-08-03
分類號(hào) C12M1/34（2006.01）I;C12M1/00（2006.01）I;C12Q1/6869（2018.01）I;B82Y15/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 生物化學(xué)；啤酒；烈性酒；果汁酒；醋；微生物學(xué)；酶學(xué)；突變或遺傳工程;
發(fā)明人 莫暉;張新聯(lián);劉戰(zhàn);尹良超;吳蒙 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市儒翰基因科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳協(xié)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 章小燕
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)市花路南側(cè)長(zhǎng)富金茂大廈1號(hào)樓801
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種DNA測(cè)序裝置、固態(tài)納米孔組件，包括：固態(tài)納米孔組件，包括在硅片上刻蝕倒金字塔形微腔，倒金字塔形微腔的塔頂形成一固態(tài)納米孔，倒金字塔形微腔的塔底兩側(cè)蒸鍍有第一金屬電極；在硅片上方生長(zhǎng)有第一層氧化硅，在第一層氧化硅下方沉積有一層氮化硅；在氮化硅下方生長(zhǎng)一第二層氧化硅形成金屬電極氧化硅基座，在金屬氧化硅基座刻蝕出一柱狀空腔，柱狀空腔底部的第二層氧化硅上覆蓋有第二金屬電極；第一金屬電極、電流測(cè)量裝置以及電源、第二金屬電極構(gòu)成縱向微弱電流測(cè)量回路；電流測(cè)量裝置測(cè)量縱向微弱電流測(cè)量回路的電流強(qiáng)度的變化對(duì)通過固態(tài)納米孔的DNA序列進(jìn)行測(cè)定。通過本實(shí)用新型實(shí)施例，可以提高DNA測(cè)序精度和測(cè)序效率。