一種大尺寸晶體生長(zhǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201921714149.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN211227433U 公開(kāi)(公告)日 2020-08-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN211227433U 申請(qǐng)公布日 2020-08-11
分類(lèi)號(hào) C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分類(lèi) -
發(fā)明人 方帥;高超;劉圓圓;周敏;張虎;姜巖鵬;黃治成 申請(qǐng)(專利權(quán))人 濟(jì)寧天岳新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 王寬
地址 272073山東省濟(jì)寧市高新區(qū)崇文大道6699號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種大尺寸晶體生長(zhǎng)裝置,其由內(nèi)向外依次包括:晶體生長(zhǎng)室、第一石英管、感應(yīng)線圈、第二石英管,晶體生長(zhǎng)室用于生長(zhǎng)大尺寸晶體,感應(yīng)線圈呈螺旋狀纏繞設(shè)置于第一石英管外側(cè),感應(yīng)線圈的匝間距為0?6mm,感應(yīng)線圈設(shè)置在旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)上,旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)控制感應(yīng)線圈轉(zhuǎn)動(dòng)。本實(shí)用新型通過(guò)優(yōu)化感應(yīng)線圈的設(shè)置,來(lái)提高感應(yīng)線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的均勻性,可以使晶體生長(zhǎng)室四周的溫度盡可能均勻,有效地減少晶體四周厚度不均勻的現(xiàn)象,有效地減少料面出現(xiàn)的某一方向上的塌陷,使晶體生長(zhǎng)室沿各個(gè)方向上被侵蝕的速率一樣,增加了這些耗材的使用次數(shù)和長(zhǎng)晶的穩(wěn)定性。??