一種半導體封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202023090657.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN213752697U | 公開(公告)日 | 2021-07-20 |
申請公布號 | CN213752697U | 申請公布日 | 2021-07-20 |
分類號 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王大華;郭以杰 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇中科智芯集成科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 薛異榮 |
地址 | 221000江蘇省徐州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)創(chuàng)業(yè)路26號101廠房 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型提供一種半導體封裝結(jié)構(gòu),包括:互聯(lián)結(jié)構(gòu)層,互聯(lián)結(jié)構(gòu)層包括絕緣介質(zhì)層和位于絕緣介質(zhì)層中的第一導電層;設置于互聯(lián)結(jié)構(gòu)層一側(cè)的第一芯片,第一芯片的正面朝向互聯(lián)結(jié)構(gòu)層且與第一導電層電性連接;第二芯片,第二芯片位于絕緣介質(zhì)層中且與第一導電層間隔,第二芯片至第一芯片的距離大于第一導電層至第一芯片的距離,第二芯片與第一導電層電性連接。通過將第二芯片設置于第一芯片正面的互聯(lián)結(jié)構(gòu)層中,利用互聯(lián)結(jié)構(gòu)層中較第一導電層更遠的空間放置第二芯片,實現(xiàn)了多芯片的立體堆疊,并且不影響第一導電層的線路設置,可有效節(jié)省器件排布的設計空間,有利于提高封裝結(jié)構(gòu)中的器件集成度。 |
