一種精密控制的固化處理介電材料的半導(dǎo)體裝置及方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110675332.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113436994A | 公開(公告)日 | 2021-09-24 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113436994A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
分類號(hào) | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 姚大平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇中科智芯集成科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 張東梅 |
地址 | 221000江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳凰灣電子產(chǎn)業(yè)園創(chuàng)業(yè)路26號(hào)101廠房 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造與封裝技術(shù)領(lǐng)域,提出一種精密控制固化處理介電材料的半導(dǎo)體裝置,包括晶圓放置架;晶圓臺(tái)盤;以及低壓固化晶圓腔室等裝置。本發(fā)明還提出一種利用所述精密控制固化處理介電材料的裝置實(shí)施介電材料固化的工藝方法。本發(fā)明通過使晶圓的背面處于減壓狀態(tài)與晶圓臺(tái)盤緊密接觸,在低壓狀態(tài)加熱,使得晶圓與介電材料涂層等到均勻加熱升溫、或者斷電降溫,因此介電材料在低壓受熱固化時(shí)產(chǎn)生均勻收縮,帶來的應(yīng)力減小,固化后的介電材料性能提高,同時(shí)晶圓翹曲程度大大地降低。 |
