一種精準(zhǔn)濕法刻蝕、清洗晶圓邊緣的半導(dǎo)體裝置及方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110675335.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113436995A | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113436995A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | H01L21/67（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I;H01L21/687（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 姚大平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇中科智芯集成科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 張東梅 |
| 地址 | 221000江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)鳳凰灣電子產(chǎn)業(yè)園創(chuàng)業(yè)路26號(hào)101廠房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及集成電路制造與封裝技術(shù)領(lǐng)域，提出一種精準(zhǔn)濕法刻蝕、清洗晶圓邊緣的半導(dǎo)體裝置及工藝方法，所述半導(dǎo)體裝置包括晶圓旋轉(zhuǎn)裝置；通氣管道；通液管道；以及雙相噴嘴。本發(fā)明通過控制雙相噴嘴中通氣道噴射出保護(hù)氣體的噴速與流量，可精準(zhǔn)控制從通液道噴射出來的刻蝕、清洗液的霧化液滴噴涂到晶圓邊緣的距離，同時(shí)不會(huì)影響晶圓其它部分?？梢员ＷC僅對(duì)晶圓邊緣做刻蝕、清洗工藝，保障了晶圓邊緣區(qū)域的潔凈，能夠提高設(shè)置在晶圓邊緣區(qū)域的芯片良率，并且避免邊緣殘留、顆粒等缺陷污染晶圓中心區(qū)域的芯片。 |
