多結異質量子點陣列及其制備方法和多結異質量子點太陽能電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210195987.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103489939B 公開（公告）日 2016-04-20
申請公布號 CN103489939B 申請公布日 2016-04-20
分類號 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0745(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 唐曉慧;代冰;朱共山 申請（專利權）人 蘇州協(xié)鑫工業(yè)應用研究院有限公司
代理機構 南京蘇高專利商標事務所（普通合伙） 代理人 蘇州協(xié)鑫工業(yè)應用研究院有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)時代廣場24幢1901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多結異質量子點陣列及其制備方法，包括交錯排列的硅量子點層和鍺量子點層。本發(fā)明的多結異質量子點陣列制作工藝簡單，能實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，有效降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明還公開了一種利用多結異質量子點陣列制備的多結異質量子點太陽能電池及其制備方法。本發(fā)明的多結異質量子點太陽能電池主要以無毒耐用豐富的硅為主要原料和當前硅太陽能生產(chǎn)線為基礎。按照本方案執(zhí)行后，太陽能芯片的轉換效率將有突破性的增加，轉換效率大于31%，而且能實現(xiàn)生產(chǎn)成本降低到0.5美元/瓦的目標，此電價與電網(wǎng)電價持平。