一種用于清洗太陽能單晶硅片的清洗工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910920073.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110575995A 公開（公告）日 2019-12-17
申請公布號 CN110575995A 申請公布日 2019-12-17
分類號 B08B3/12（2006.01）; B08B3/08（2006.01）; B08B3/10（2006.01）; B08B13/00（2006.01） 分類 清潔;
發(fā)明人 張大鵬 申請（專利權）人 南通晶耀新能源有限公司
代理機構 合肥律眾知識產權代理有限公司 代理人 龍海麗
地址 226000 江蘇省南通市海安市海安鎮(zhèn)黃海西路188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于清洗太陽能單晶硅片的清洗工藝，包括以下步驟：一）超聲波清洗：將線割機切割下來的單晶硅片浸泡在裝有自來水的超聲清洗機內進行超聲波清洗，清洗時間為10～15min，水溫為30～35℃；二）放水：將步驟一）中清洗后的自來水排出，經過過濾凈化處理后進行儲存；三）堿性清洗：往步驟一）中超聲清洗機內添加APM溶液，單晶硅片在APM溶液中清洗5～10min，清洗溫度為45～55℃。本發(fā)明同樣選用APM溶液和HPM溶液利用濕式化學法對單晶硅片進行清洗，但本發(fā)明一方面增加清洗液設計，使其在APM溶液之后使用，可以對單晶硅片的表面有機物進行清理，同時可以對APM溶液清理后殘留的微粒再次進行清理，從而提高清洗效果。