一種用于清洗太陽能單晶硅片的清洗工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910920073.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110575995A 公開（公告）日 2019-12-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN110575995A 申請(qǐng)公布日 2019-12-17
分類號(hào) B08B3/12（2006.01）; B08B3/08（2006.01）; B08B3/10（2006.01）; B08B13/00（2006.01） 分類 清潔;
發(fā)明人 張大鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南通晶耀新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥律眾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 龍海麗
地址 226000 江蘇省南通市海安市海安鎮(zhèn)黃海西路188號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于清洗太陽能單晶硅片的清洗工藝，包括以下步驟：一）超聲波清洗：將線割機(jī)切割下來的單晶硅片浸泡在裝有自來水的超聲清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行超聲波清洗，清洗時(shí)間為10～15min，水溫為30～35℃；二）放水：將步驟一）中清洗后的自來水排出，經(jīng)過過濾凈化處理后進(jìn)行儲(chǔ)存；三）堿性清洗：往步驟一）中超聲清洗機(jī)內(nèi)添加APM溶液，單晶硅片在APM溶液中清洗5～10min，清洗溫度為45～55℃。本發(fā)明同樣選用APM溶液和HPM溶液利用濕式化學(xué)法對(duì)單晶硅片進(jìn)行清洗，但本發(fā)明一方面增加清洗液設(shè)計(jì)，使其在APM溶液之后使用，可以對(duì)單晶硅片的表面有機(jī)物進(jìn)行清理，同時(shí)可以對(duì)APM溶液清理后殘留的微粒再次進(jìn)行清理，從而提高清洗效果。