擴(kuò)展波長的InGaAs紅外探測器
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202023288750.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN214336725U | 公開（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申請公布號 | CN214336725U | 申請公布日 | 2021-10-01 |
| 分類號 | H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/101（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孫炳蔚;顧溢;劉大福 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫中科德芯感知科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海弼興律師事務(wù)所 | 代理人 | 楊東明;張冉 |
| 地址 | 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)弘毅路10號金乾座901—910室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種擴(kuò)展波長的InGaAs紅外探測器，包括依次生長在InP襯底上的第一緩沖層、第二緩沖層、吸收層和蓋層；所述第一緩沖層為InAsyP（1?y），其中0 |
