長波III-V族紅外探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121450983.0 申請日 -
公開（公告）號 CN215869410U 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN215869410U 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/105（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧溢;孫奪 申請（專利權(quán)）人 無錫中科德芯感知科技有限公司
代理機構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 楊東明;林嵩
地址 214028江蘇省無錫市新吳區(qū)弘毅路10號金乾座901—910室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種長波III?V族紅外探測器，所述紅外探測器結(jié)構(gòu)包括襯底、緩沖層、吸收層和帽層；其中，所述吸收層的材料為非故意摻雜的BInAsSbBi，所述非故意摻雜的BInAsSbBi的組分結(jié)構(gòu)滿足：BxIn1?xAs1?y?zSbyBiz，其中，x≥0.1，0.4≤y≤0.7，0.01≤z≤0.06。本實用新型通過滿足適當(dāng)組分要求的BInAsSbBi材料作為吸收層來制備長波III?V族紅外探測器，獲得了較好的化學(xué)穩(wěn)定性，在保證耐熱性的同時具有較高的吸收系數(shù)，能夠保持與襯底較小的晶格失配，從而提升了探測器性能。