薄膜晶體管及其驅(qū)動方法、顯示裝置和晶體管電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711190146.7 申請日 -
公開（公告）號 CN108231904B 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN108231904B 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L29/786（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;G09G3/20（2006.01）I;G09G3/3233（2016.01）I;G09G3/36（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 竹知和重 申請（專利權(quán)）人 天馬微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 廣東省深圳市龍華區(qū)民治街道北站社區(qū)留仙大道天馬大廈1918
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及薄膜晶體管及其驅(qū)動方法、顯示裝置和晶體管電路。一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管包括：源極電極及漏極電極；溝道層，其由氧化物半導(dǎo)體形成；第一絕緣膜；第一柵極電極，其形成在與形成于溝道層和第一絕緣膜之間的界面上的第一溝道區(qū)域相對的面?zhèn)?；第二絕緣膜；以及第二柵極電極，其形成在與形成于溝道層和第二絕緣膜之間的界面上的第二溝道區(qū)域相對的面?zhèn)龋趯⒌谝粶系绤^(qū)域的在源極電極和漏極電極的并排設(shè)置方向上的長度設(shè)為第一溝道長度，第二溝道區(qū)域的在并排設(shè)置方向上的長度設(shè)為第二溝道長度的情況下，第二溝道長度比第一溝道長度短，且施加于第二柵極電極的電位大于或等于源極電極和漏極電極的電位中的較低的電位。