高邊NMOS驅(qū)動電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611212608.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106849925B 公開（公告）日 2020-04-28
申請公布號 CN106849925B 申請公布日 2020-04-28
分類號 H03K17/687 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 劉飛;文鋒;余祖俊;黃孟 申請（專利權(quán)）人 惠州市億能電子有限公司
代理機構(gòu) 惠州創(chuàng)聯(lián)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 惠州市億能電子有限公司
地址 516006 廣東省惠州市仲愷高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)惠風東二路40號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種適用于驅(qū)動需要長期導通（或作為開關(guān)使用）的NMOS管的高邊NMOS驅(qū)動電路，其包括由至少兩個并聯(lián)連接的電容組成的升壓電路和主要由五個晶體三極管構(gòu)成的、以NMOS的供電電壓為基準的電荷泵電路。本發(fā)明的高邊NMOS驅(qū)動電路采用一個方波發(fā)生電路再配合一個以NMOS的供電電壓為基準的電荷泵電路即可實現(xiàn)靈活的防反接NMOS驅(qū)動或開關(guān)作用的高邊背靠背NMOS驅(qū)動，很好地實現(xiàn)低成本的、應(yīng)用于需要長期導通的高邊NMOS的驅(qū)動電路。