高邊功率MOSFET的驅動保護電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110449616.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112994669B 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN112994669B 申請公布日 2021-08-17
分類號 H03K17/08 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 浙江地芯引力科技有限公司
代理機構 北京辰權知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 孔垂超
地址 311215 浙江省杭州市蕭山區(qū)建設三路733號信息港五期H座111
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種高邊功率MOSFET的驅動保護電路，包括低壓輸入控制電路、第一電平轉換電路、第二電平轉換電路、第三電平轉換電路和驅動電路；低壓輸入控制電路分別與第一電平轉換電路、第二電平轉換電路和第三電平轉換電路相連接；驅動電路分別與第一電平轉換電路和第三電平轉換電路相連接；所述第二電平轉換電路與所述第三電平轉換電路相連接；所述低壓輸入控制電路用于分別控制所述第一電平轉換電路、所述第二電平轉換電路和所述第三電平轉換電路的電壓轉換以驅動高邊功率MOSFET工作。本申請的高邊功率MOSFET的驅動保護電路，能確保高邊功率MOSFET用于高邊驅動時既能正常開啟又能正常關斷，同時還能保護高邊功率MOSFET正常工作不被過壓擊穿。