高邊功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110449616.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112994669A 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN112994669A 申請公布日 2021-06-18
分類號 H03K17/08 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 浙江地芯引力科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孔垂超
地址 311215 浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號信息港五期H座111
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種高邊功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，包括低壓輸入控制電路、第一電平轉(zhuǎn)換電路、第二電平轉(zhuǎn)換電路、第三電平轉(zhuǎn)換電路和驅(qū)動(dòng)電路；低壓輸入控制電路分別與第一電平轉(zhuǎn)換電路、第二電平轉(zhuǎn)換電路和第三電平轉(zhuǎn)換電路相連接；驅(qū)動(dòng)電路分別與第一電平轉(zhuǎn)換電路和第三電平轉(zhuǎn)換電路相連接；所述第二電平轉(zhuǎn)換電路與所述第三電平轉(zhuǎn)換電路相連接；所述低壓輸入控制電路用于分別控制所述第一電平轉(zhuǎn)換電路、所述第二電平轉(zhuǎn)換電路和所述第三電平轉(zhuǎn)換電路的電壓轉(zhuǎn)換以驅(qū)動(dòng)高邊功率MOSFET工作。本申請的高邊功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，能確保高邊功率MOSFET用于高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)既能正常開啟又能正常關(guān)斷，同時(shí)還能保護(hù)高邊功率MOSFET正常工作不被過壓擊穿。