一種氣相沉積石墨烯層生長制備裝置及工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110193070.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112813408A 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN112813408A 申請公布日 2021-05-18
分類號 C23C16/26;C23C16/455;C23C16/44;C30B25/14;C30B25/08;C30B25/10;C30B29/02 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 趙兵;付善任;張紅 申請（專利權(quán)）人 上海嵐玥新材料科技有限公司
代理機構(gòu) 北京挺立專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王莉
地址 201400 上海市奉賢區(qū)奉浦大道1599號M幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氣相沉積石墨烯層生長制備裝置及工藝，氣相沉積石墨烯層生長制備裝置包括密封腔體、高真空密封插板閥、熱場底座、石墨硬氈保溫層、第一石墨發(fā)熱體、第二石墨發(fā)熱體、第一感應(yīng)線圈和第二感應(yīng)線圈，氣相沉積石墨烯層生長制備工藝包括封閉密封腔體，抽真空；啟動第一感應(yīng)線圈和第二感應(yīng)線圈；升溫達到目標(biāo)溫度；充入高純工藝氣體；溫度降至攝氏度和取出鍍有涂層的襯底片，每個氣路只對應(yīng)一個襯底片，避免由單氣路對應(yīng)多襯底片導(dǎo)致的充氣壓力不均，碳原子沉積不均勻的問題，共八組制備裝置同時制備生產(chǎn)，其中每個氣路獨立控溫，控制流量，保證工藝的標(biāo)準(zhǔn)化和可控可復(fù)制性。