一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810982499.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109192834A 公開（公告）日 2019-01-11
申請公布號 CN109192834A 申請公布日 2019-01-11
分類號 H01L33/32;H01L33/06;H01L33/10 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅;周啟倫;鐘志白;李水清;徐宸科;康俊勇 申請（專利權(quán)）人 湖北三安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361009 福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管，包括：N型氮化物半導(dǎo)體，多量子阱和P型氮化物半導(dǎo)體，所述多量子阱具有V型坑，所述多量子阱與P型氮化物半導(dǎo)體之間至少具有一分布式布拉格反射層，或多量子阱的V型坑上方至少具有一分布式布拉格反射層。