一種倒裝發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制作方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410248717.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN103996773B | 公開(公告)日 | 2016-09-28 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN103996773B | 申請(qǐng)公布日 | 2016-09-28 |
分類號(hào) | H01L33/24(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 何安和;林素慧;鄭建森;彭康偉;林瀟雄;徐宸科 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 湖北三安光電有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 361009 福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種倒裝發(fā)光二極管及其制作方法,包括:一基板;一外延層,位于所述基板之上,所述外延層包括:第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及夾于第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層;至少一個(gè)開口結(jié)構(gòu),位于所述外延層的邊緣位置之上,且延伸至基板表面,使得部分外延層的側(cè)壁以及部分基板表面裸露,從而將外延層劃分為外延主體層與阻隔柵結(jié)構(gòu);一絕緣層,位于所述開口結(jié)構(gòu)之上,作為金屬電極隔離層。 |
