一種氮化物半導體發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711207110.5 申請日 -
公開（公告）號 CN108039397B 公開（公告）日 2019-11-12
申請公布號 CN108039397B 申請公布日 2019-11-12
分類號 H01L33/32（2010.01）I; H01L33/06（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅; 李水清; 鐘志白; 周啟倫; 林峰; 吳雅萍; 李志明; 杜偉華; 鄧和清; 伍明躍; 陳松巖; 康俊勇 申請（專利權(quán)）人 湖北三安光電有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 361009 福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721－1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種氮化物半導體發(fā)光二極管，包括：N型氮化物半導體，V?pits，多量子阱，至少具有一V?pits開啟層和/或至少具有一V?pits調(diào)制層，以及P型氮化物半導體，其特征在于：所述V?pits開啟層和V?pits調(diào)制層具有不同的C碳含量，調(diào)節(jié)（10?11）面和（0001）面的速率匹配，通過控制C含量控制位錯線開出V?pits并調(diào)控V?pits尺寸和密度；并控制InkGa1?kN/GaN的厚度比例和InzGa1?zN/GaN的厚度比例，調(diào)控V?pits的尺寸和密度。