一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711207110.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108039397A 公開（公告）日 2018-05-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN108039397A 申請(qǐng)公布日 2018-05-15
分類號(hào) H01L33/32;H01L33/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅(jiān);李水清;鐘志白;周啟倫;林峰;吳雅萍;李志明;杜偉華;鄧和清;伍明躍;陳松巖;康俊勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖北三安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361009 福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管，包括：N型氮化物半導(dǎo)體，V?pits，多量子阱，至少具有一V?pits開啟層和/或至少具有一V?pits調(diào)制層，以及P型氮化物半導(dǎo)體，其特征在于：所述V?pits開啟層和V?pits調(diào)制層具有不同的C碳含量，調(diào)節(jié)（10?11）面和（0001）面的速率匹配，通過控制C含量控制位錯(cuò)線開出V?pits并調(diào)控V?pits尺寸和密度；并控制InkGa1?kN/GaN的厚度比例和InzGa1?zN/GaN的厚度比例，調(diào)控V?pits的尺寸和密度。