一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810982499.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109192834B 公開（公告）日 2020-04-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN109192834B 申請(qǐng)公布日 2020-04-21
分類號(hào) H01L33/32;H01L33/06;H01L33/10 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅(jiān);周啟倫;鐘志白;李水清;徐宸科;康俊勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖北三安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361009 福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721－1725號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管，包括：N型氮化物半導(dǎo)體，多量子阱和P型氮化物半導(dǎo)體，所述多量子阱具有V型坑，所述多量子阱與P型氮化物半導(dǎo)體之間至少具有一分布式布拉格反射層，或多量子阱的V型坑上方至少具有一分布式布拉格反射層。