III族氮化物外延結構及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310339115.9 申請日 -
公開（公告）號 CN103388178B 公開（公告）日 2016-12-28
申請公布號 CN103388178B 申請公布日 2016-12-28
分類號 C30B25/20(2006.01)I;C30B25/22(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 杜彥浩;葉孟欣;徐宸科;趙志偉;林文禹;葉義信;楊仁君;劉建明 申請（專利權）人 湖北三安光電有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 361009 福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721－1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種III族氮化物外延結構及其生長方法，其III族氮化物的外延結構，至少包括：Si襯底，和位于Si襯底之上的III族氮化物層，其特征在于：在所述Si襯底和III族氮化物的界面處并列存在Al原子和原位生成的SixNy，其中Al原子起到浸潤Si襯底和銜接III族氮化物層的作用，SixNy用于釋放異質外延產生的失配應力。