倒裝發(fā)光二極管結構及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510625578.0 申請日 -
公開（公告）號 CN105336829B 公開（公告）日 2018-09-11
申請公布號 CN105336829B 申請公布日 2018-09-11
分類號 H01L33/38;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何安和;林素慧;鄭建森;彭康偉;林瀟雄;徐宸科 申請（專利權）人 湖北三安光電有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 361009 福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種倒裝發(fā)光二極管結構及其制作方法，包括：基板；外延層，位于所述基板之上，外延層包括：第一半導體層、第二半導體層以及夾于第一半導體層與第二半導體層之間的發(fā)光層；第一電極結構，位于所述第一半導體層上；第二電極結構，位于所述第二半導體層上；第一電極結構包括第一電極本體和第一電極環(huán)，第二電極結構包括第二電極本體和第二電極環(huán)；第一電極環(huán)的厚度大于或等于第一電極本體的厚度，且第二電極環(huán)的厚度大于或等于第二電極本體的厚度。第一電極環(huán)、第二電極環(huán)作為阻隔柵結構，用于避免發(fā)光二極管在封裝使用中由于固晶導電材料的溢流導致短路，提高可靠性。