一種硅納米線芯片及基于硅納米線芯片的質(zhì)譜檢測(cè)方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910579528.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110203876B | 公開(公告)日 | 2022-02-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110203876B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-18 |
分類號(hào) | B81B1/00(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01N27/62(2021.01)I | 分類 | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
發(fā)明人 | 鄔建敏;陳曉明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 杭州匯健科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州裕陽(yáng)聯(lián)合專利代理有限公司 | 代理人 | 金方瑋 |
地址 | 310000 浙江省杭州市濱江區(qū)長(zhǎng)河街道長(zhǎng)河路475號(hào)3幢9層901室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種硅納米線芯片及基于硅納米線芯片的質(zhì)譜檢測(cè)方法,檢測(cè)方法,包括如下步驟:步驟一,制造硅納米線芯片;將單晶硅片經(jīng)表面洗滌預(yù)處理后經(jīng)過金屬輔助刻蝕、堿后刻蝕得到具有尖端的硅納米線芯片;對(duì)硅納米線芯片進(jìn)行表面化學(xué)或納米材料修飾;步驟二,硅納米線芯片質(zhì)譜性能評(píng)估;步驟三,頂端接觸取樣及原位離子化質(zhì)譜檢測(cè);本發(fā)明充分利用硅納米線芯片的納米結(jié)構(gòu)特性和半導(dǎo)體特性,將接觸式萃取轉(zhuǎn)印和免基質(zhì)質(zhì)譜檢測(cè)集合于一體,大大簡(jiǎn)化了復(fù)雜樣本的采集、預(yù)處理和檢測(cè)過程;本發(fā)明制造出的硅納米線芯片能夠同時(shí)具備吸附、萃取功能與質(zhì)譜檢測(cè)功能,還能保留有空間異質(zhì)性的樣本的原位信息。 |
