改善干法蝕刻均勻性的氣體分散裝置、反應(yīng)腔室及蝕刻機

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122086729.3 申請日 -
公開（公告）號 CN216413002U 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN216413002U 申請公布日 2022-04-29
分類號 H01J37/32（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李瑞評;喬新宇;李彬彬;霍曜 申請（專利權(quán)）人 福建晶安光電有限公司
代理機構(gòu) 北京金咨知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 岳燕敏
地址 362411福建省泉州市安溪縣湖頭鎮(zhèn)橫山村光電產(chǎn)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種改善干法蝕刻均勻性的氣體分散裝置、反應(yīng)腔室及蝕刻機，所述氣體分散裝置包括：分散板本體，所述分散板本體上具有多個氣孔；多個蓋板，所述多個蓋板分別蓋封在所述多個氣孔的進氣口或出氣口位置處；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部件，其固定在所述分散板本體上，且所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部件的輸出軸與所述蓋板固定連接，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部件用于驅(qū)動所述蓋板旋轉(zhuǎn)運動以開啟或關(guān)閉所述氣孔。該氣體分散裝置可在不開啟反應(yīng)腔室的前提下保證腔室內(nèi)的蝕刻氣體的均勻性，從而確保晶片的加工質(zhì)量以及提高了加工效率。