一種單層大面積石墨烯的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811425759.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111217360A | 公開（公告）日 | 2020-06-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111217360A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-02 |
| 分類號(hào) | C01B32/186(2017.01)I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 王中健;肖兵;梁歡;黃肖艷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 季優(yōu)科技（珠海橫琴）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海宏京知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 季優(yōu)科技（上海）有限公司 |
| 地址 | 201822上海市嘉定區(qū)菊?qǐng)@新區(qū)環(huán)城路2222號(hào)1幢J246室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種單層大面積石墨烯的制備方法，其利用h?BN和石墨烯間的低晶格失配度，通過PECVD降低實(shí)驗(yàn)溫度并提升反應(yīng)速率，直接在介電基底上淀積出了高質(zhì)量的單層石墨烯，實(shí)現(xiàn)大尺寸單層石墨烯的制備。該方法可以克服現(xiàn)有制備過程中的層數(shù)不均勻、反應(yīng)速率慢、需要溫度高等問題，為石墨烯的大規(guī)模應(yīng)用打下良好的基礎(chǔ)。?? |
