一種具有浮島結(jié)構(gòu)的溝槽型垂直氮化鎵功率器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201921835897.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN210325809U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-04-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN210325809U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-04-14 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王中健;肖兵;梁歡;黃肖艷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 季優(yōu)科技（珠海橫琴）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海宏京知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 季優(yōu)科技（上海）有限公司 |
| 地址 | 201899上海市嘉定區(qū)菊?qǐng)@新區(qū)環(huán)城路2222號(hào)1幢J246室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及寬禁帶功率電子器件技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種具有浮島結(jié)構(gòu)的溝槽型垂直氮化鎵功率器件，包括Body電極和外殼體，所述外殼體的頂端設(shè)置有溝槽，所述溝槽的內(nèi)側(cè)壁固定連接?xùn)沤饘?，所述柵金屬的?nèi)側(cè)設(shè)置有柵介質(zhì)，所述外殼體的內(nèi)腔自下而上晶片結(jié)構(gòu)依次設(shè)置N+襯底、N型漂移區(qū)、P型層和N+摻雜層，所述P型層與N+摻雜層對(duì)稱設(shè)置有兩組，所述N型漂移區(qū)的內(nèi)側(cè)對(duì)稱設(shè)置P型浮島，所述外殼體的頂側(cè)兩端對(duì)稱固定連接源漏電極，本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)在N型漂移區(qū)引入兩個(gè)對(duì)稱P型浮島，有利于避免溝槽底部拐角處柵介質(zhì)處的電場(chǎng)聚集效應(yīng)，電場(chǎng)強(qiáng)度因P型浮島的存在而減小，達(dá)到了抑制柵介質(zhì)擊穿引起的器件擊穿現(xiàn)象，有利于提高擊穿電壓。?? |
