一種具有浮島結(jié)構(gòu)的溝槽型垂直氮化鎵功率器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911038543.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112750890A 公開（公告）日 2021-05-04
申請公布號 CN112750890A 申請公布日 2021-05-04
分類號 H01L29/06;H01L29/20;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王中健;肖兵;梁歡;黃肖艷 申請（專利權(quán)）人 季優(yōu)科技（珠海橫琴）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海宏京知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 馮華
地址 201899 上海市嘉定區(qū)菊園新區(qū)環(huán)城路2222號1幢J246室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及寬禁帶功率電子器件技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種具有浮島結(jié)構(gòu)的溝槽型垂直氮化鎵功率器件，包括Body電極和外殼體，所述外殼體的頂端設(shè)置有溝槽，所述溝槽的內(nèi)側(cè)壁固定連接?xùn)沤饘伲鰱沤饘俚膬?nèi)側(cè)設(shè)置有柵介質(zhì)，所述外殼體的內(nèi)腔自下而上晶片結(jié)構(gòu)依次設(shè)置N+襯底、N型漂移區(qū)、P型層和N+摻雜層，所述P型層與N+摻雜層對稱設(shè)置有兩組，所述N型漂移區(qū)的內(nèi)側(cè)對稱設(shè)置P型浮島，所述外殼體的頂側(cè)兩端對稱固定連接源漏電極，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)在N型漂移區(qū)引入兩個(gè)對稱P型浮島，有利于避免溝槽底部拐角處柵介質(zhì)處的電場聚集效應(yīng)，電場強(qiáng)度因P型浮島的存在而減小，達(dá)到了抑制柵介質(zhì)擊穿引起的器件擊穿現(xiàn)象，有利于提高擊穿電壓。