一種多芯片模塊的封裝工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910692565.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112309872A 公開（公告）日 2021-02-02
申請公布號 CN112309872A 申請公布日 2021-02-02
分類號 H01L21/48(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬強(qiáng);王燕洲 申請（專利權(quán)）人 蘇州遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 范晴;丁浩秋
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)華云路1號桑田島科創(chuàng)園7號樓2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多芯片模塊的封裝工藝，包括：將晶片附著在引線框架上；將設(shè)有空腔的保護(hù)蓋設(shè)置貫穿的通孔，將設(shè)置有貫穿的通孔的保護(hù)蓋經(jīng)在引線框架的周邊的膠加溫密封在引線框架上；在加溫的流程中通過通孔降低腔內(nèi)的壓力，使其不變形，并在降溫后填塞通孔。可以使得保護(hù)蓋的密閉保護(hù)效果更佳，由于除去了保護(hù)蓋密封腔內(nèi)的大量介質(zhì)，可以大大增加射頻功放產(chǎn)品的功率和效率，此外還可以增加射頻功放產(chǎn)品的散熱效果，同時產(chǎn)品的一致性更好。??