器件芯片及其制造方法、封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111396304.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114121828A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114121828A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L23/13（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/04（2006.01）I;H01L23/10（2006.01）I;H01L21/52（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏濤;賴志國;楊清華;錢盈;王友良;于保寧 申請（專利權(quán)）人 蘇州漢天下電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京元合聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 李非非
地址 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城東北區(qū)39幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種器件芯片，該器件芯片包括：襯底結(jié)構(gòu)，該襯底結(jié)構(gòu)的底部形成有至少一個導(dǎo)熱孔結(jié)構(gòu)，每一所述導(dǎo)熱孔結(jié)構(gòu)均包括形成在所述襯底結(jié)構(gòu)底部的第一盲孔以及填充在該第一盲孔內(nèi)的第一導(dǎo)熱材料；至少一個器件單元，該至少一個器件單元形成在所述襯底結(jié)構(gòu)上。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種器件芯片的制造方法、以及基于該器件芯片所形成的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。本發(fā)明有利于提高封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能。