感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610523778.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106027016B 公開（公告）日 2018-08-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN106027016B 申請(qǐng)公布日 2018-08-14
分類號(hào) H03K17/695 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 姜文耀;陶勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江桃園科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 浙江桃園科技有限公司
地址 310013 浙江省杭州市西湖區(qū)天目山路217號(hào)18層1801-1室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制去磁電路。包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路。輸入保護(hù)整流電路由TVS管或者雙向穩(wěn)壓二極管，四個(gè)整流二極管組成；去磁主電路由NMOS管M1、負(fù)載L1、續(xù)流二極管D6、去磁穩(wěn)壓二極管D8(或電阻)、自舉升壓電容C1、自舉升壓輔助二極管D7、自舉升壓電容充放電回路控制二極管D10(可去除)、自舉分壓電阻R1(可去除)、自舉分壓電阻R2(阻值可為零)、驅(qū)動(dòng)分壓電阻R3、驅(qū)動(dòng)分壓電阻R4(阻值可為零)、脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管M2(或三極管)、防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管D9(可去除)組成。本發(fā)明電路響應(yīng)速度快，電路簡單，電路成本低，功耗低，去磁快。