感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制磁性釋放電路
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610523780.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN106027017A | 公開(kāi)(公告)日 | 2016-10-12 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN106027017A | 申請(qǐng)公布日 | 2016-10-12 |
分類(lèi)號(hào) | H03K17/695(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 姜文耀;陶勇 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 浙江桃園科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州求是專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 浙江桃園科技有限公司 |
地址 | 310013 浙江省杭州市西湖區(qū)天目山路217號(hào)18層1801-1室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種感性負(fù)載電壓脈寬調(diào)制磁性釋放電路。包括輸入保護(hù)整流電路和去磁主電路。去磁主電路,脈寬調(diào)制控制NMOS管M1、負(fù)載L1、續(xù)流二極管D6、去磁穩(wěn)壓二極管D8或電阻R3、自舉升壓電容C1、自舉升壓輔助二極管D7、自舉升壓電容充放電回路控制二極管D10(可去除)、分壓電阻R1、分壓電阻R2、脈寬調(diào)制階段導(dǎo)通NMOS管M2?(或三極管)、防NMOS管擊穿穩(wěn)壓二極管D9(可去除)組成。本發(fā)明電路響應(yīng)速度快,能滿(mǎn)足現(xiàn)有的用電壓脈寬調(diào)制來(lái)控制感性負(fù)載的響應(yīng)速度;電路簡(jiǎn)單,電路成本低,適用范圍廣,可適用于各種用電壓脈寬調(diào)制來(lái)控制感性負(fù)載的電路。 |
