具有改良出光結(jié)構(gòu)的LED芯片及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201110233851.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN102280550B | 公開(公告)日 | 2015-05-20 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN102280550B | 申請(qǐng)公布日 | 2015-05-20 |
分類號(hào) | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B23K26/36(2014.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 梁秉文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州納方科技發(fā)展有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路398號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種具有改良出光結(jié)構(gòu)的LED芯片及其制備方法。該LED芯片包括正面生長(zhǎng)有外延層的透明襯底,該襯底具有臺(tái)階形結(jié)構(gòu),且至少襯底側(cè)邊上部為與豎直方向成10-45°夾角的傾斜邊。該方法為:首先以彼此之間成20-90°夾角的兩束激光自襯底背面傾斜切入襯底至第一設(shè)定深度,且形成的兩條傾斜切痕彼此無交叉;其后以平行排布在兩條傾斜切痕之間的多束激光垂直切入襯底至第二設(shè)定深度,從而在襯底上形成Y型切槽,該第二設(shè)定深度大于第一設(shè)定深度;最后以一束激光自切槽槽底垂直切穿襯底和生長(zhǎng)于襯底正面的外延層,將相鄰LED芯片自預(yù)定分割位置分離。本發(fā)明LED芯片結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,發(fā)光效率高,且其制備工藝簡(jiǎn)便高效,無需裂片操作,成本低廉,良品率高。 |
