GaN基發(fā)光二極管、其制備方法及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210305178.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103633206B 公開（公告）日 2016-08-17
申請公布號 CN103633206B 申請公布日 2016-08-17
分類號 H01L33/04(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁秉文 申請（專利權(quán)）人 蘇州納方科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華夏博通專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蘇州納方科技發(fā)展有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路398號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaN基發(fā)光二極管、其制備方法及應(yīng)用。該發(fā)光二極管包括順次疊設(shè)的第一N型GaN層、P型GaN層、多量子阱有源層以及第二N型GaN層，其中，第一N型GaN層生長在第一襯底上或第二N型GaN層連接在第二襯底上，以及第一或第二N型GaN層上還連接有透明導(dǎo)電層；其制備方法為：在第一襯底上生長設(shè)定緩沖層，再依次生長形成前述結(jié)構(gòu)層；其后在第二N型GaN層上連接透明導(dǎo)電層，或者在第二N型GaN層上連接第二襯底，而將第一襯底剝離，并在第一N型GaN層上連接透明導(dǎo)電層。本發(fā)明半導(dǎo)體材料層的厚度小，生長時(shí)間短，生產(chǎn)效率高，且與透明導(dǎo)電電極接觸的N型GaN層無需重?fù)诫s，降低因?yàn)榍笆鼋Y(jié)構(gòu)層重?fù)诫s而對光的吸收，產(chǎn)品良率和發(fā)光效率高。