MOS觸發(fā)SCR器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110722637.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113437063A | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113437063A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | H01L27/02 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 易永財(cái);朱小安;邵宇;葉平平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 吉安礪芯半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市恒程創(chuàng)新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張小容 |
| 地址 | 343000 江西省吉安市井岡山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)深圳大道北側(cè)238號(hào)物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)客園3號(hào)樓2-208室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種MOS觸發(fā)SCR器件。MOS觸發(fā)SCR器件包括P型襯底、位于P型襯底上端沿襯底的長度方向依次排列的低壓N阱和低壓P阱，位于低壓N阱和所述低壓P阱上端沿襯底的長度方向依次排列的第一SN區(qū)、第一SP區(qū)、第二SN區(qū)以及第二SP區(qū)、位于低壓N阱和低壓P阱交界處的第三區(qū)、位于第二SN區(qū)和第三區(qū)之間或位于第一SP區(qū)和第三區(qū)之間的可調(diào)部件。通過設(shè)置可調(diào)部件于第二SN區(qū)和第三區(qū)之間或第一SP區(qū)和第三區(qū)之間，并且通過調(diào)整可調(diào)部件，能夠控制SCR器件中的寄生MOS管的閾值電壓，當(dāng)閾值電壓改變時(shí)，SCR器件的觸發(fā)電壓也會(huì)改變，從而通過調(diào)整寄生MOS管的閾值電壓實(shí)現(xiàn)對(duì)SCR器件的觸發(fā)電壓進(jìn)行無級(jí)調(diào)整。 |
