阻變存儲(chǔ)器的鎢薄膜制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011033772.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112201748A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-01-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112201748A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-08 |
| 分類號(hào) | H01L45/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳亮;仇圣棻;楊蕓;李曉波;楊瑞鵬;曹恒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 昕原半導(dǎo)體（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 昕原半導(dǎo)體（上海）有限公司 |
| 地址 | 201315上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種阻變存儲(chǔ)器的鎢薄膜制備方法，包括：采用物理氣相沉積在底電極上沉積鎢薄膜；采用物理氣相沉積在所述鎢薄膜上沉積摻雜有N元素的WNx薄膜；通過(guò)CMP機(jī)臺(tái)對(duì)所述WNx薄膜進(jìn)行研磨，其中，當(dāng)所述WNx薄膜被磨光時(shí)，所述CMP機(jī)臺(tái)停止研磨。利用本發(fā)明，能夠解決現(xiàn)有制備阻變存儲(chǔ)器的鎢薄膜過(guò)程中，不能同時(shí)滿足鎢薄膜厚度、鎢薄膜表面粗糙度問(wèn)題。?? |
