阻變存儲器的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011033774.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112201749A 公開（公告）日 2021-01-08
申請公布號 CN112201749A 申請公布日 2021-01-08
分類號 H01L45/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳亮;仇圣棻;楊蕓;李曉波 申請（專利權(quán)）人 昕原半導(dǎo)體（上海）有限公司
代理機構(gòu) 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 昕原半導(dǎo)體（上海）有限公司
地址 201315上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種阻變存儲器的制備方法，包括：采用物理氣相沉積在介質(zhì)層上依次沉積底部電極、轉(zhuǎn)換層、頂部電極以及刻蝕阻擋層；對所述刻蝕阻擋層進行光刻光阻處理；根據(jù)所述光刻光阻處理形成的圖像，依次對所述刻蝕阻擋層、所述頂部電極、所述轉(zhuǎn)換層以及所述底部電極進行刻蝕；對刻蝕后的所述頂部電極、所述轉(zhuǎn)換層以及所述底部電極的側(cè)壁進行氧化制程。利用本發(fā)明，能夠解決現(xiàn)有制備阻變存儲器過程中，金屬原子由于蝕刻作用而濺鍍到轉(zhuǎn)換層、頂部電極的側(cè)壁上而導(dǎo)致阻變式存儲器失效的問題。??