基于CMOS工藝的CMOS-MEMS全集成熱電堆芯片及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111228772.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114031031A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN114031031A 申請公布日 2022-02-11
分類號 B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;G01J5/16（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 於廣軍 申請（專利權(quán)）人 上海申矽凌微電子科技股份有限公司
代理機構(gòu) 上海段和段律師事務所 代理人 李佳俊;郭國中
地址 201108上海市閔行區(qū)虹梅南路2588號1幢A320室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于CMOS工藝的CMOS?MEMS全集成熱電堆芯片及制造方法，包括襯底、微電機系統(tǒng)以及專用集成電路系統(tǒng)，微電機系統(tǒng)和集成電路系統(tǒng)二者在襯底上呈分隔設置，且襯底上設置有隔離層；專用集成電路系統(tǒng)包括MOS管，微電機系統(tǒng)包括由多組熱電偶串聯(lián)形成的熱電堆和熱沉區(qū)，微電機系統(tǒng)所在的襯底的背部開設有空腔，隔離層將熱電偶和熱沉區(qū)二者與空腔分隔；熱電偶與專用集成電路系統(tǒng)電連接，熱沉區(qū)接地或懸空，且熱沉區(qū)的內(nèi)壁構(gòu)成冷端邊界并延伸至空腔的上方，從而使熱沉區(qū)的內(nèi)壁為熱電堆的冷端，使熱電堆的冷端和熱端距離固定，進而提高了產(chǎn)品的一致性。