具有高透光電極結(jié)構(gòu)的TOF傳感器以及成像裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921775237.1 申請日 -
公開(公告)號 CN211529954U 公開(公告)日 2020-09-18
申請公布號 CN211529954U 申請公布日 2020-09-18
分類號 H01L27/146(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 黃忠守;馬隆鑫;徐淵;姚浩東;陳志芳 申請(專利權)人 光微信息科技(合肥)有限公司
代理機構(gòu) 深圳市贏源知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 代理人 深圳市光微科技有限公司
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道同富裕工業(yè)城10棟1樓102房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┚哂懈咄腹怆姌O結(jié)構(gòu)的TOF傳感器以及成像裝置,其包括:半導體襯底;形成于該半導體襯底內(nèi)的光電二極管的陣列;疊加電極結(jié)構(gòu),其設置于該光電二極管陣列的光線入射一側(cè),包括多層電極和多層絕緣膜和對準光電二極管的可透過紅外光的透明區(qū)域;以及微透鏡陣列,設置于該入射光通孔的光線入射一側(cè);疊加電極的至少一層電極在通孔邊緣往襯底方向延伸和彎折,引導光線進入光電二極管。本申請的結(jié)構(gòu)可以有效防止光線進入多層電極之間造成的橫向串擾和光能損失。??