一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610055456.7 申請日 -
公開（公告）號 CN105742189A 公開（公告）日 2016-07-06
申請公布號 CN105742189A 申請公布日 2016-07-06
分類號 H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃榮翠 申請（專利權(quán)）人 青島中微創(chuàng)芯電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市京大律師事務(wù)所 代理人 李光松
地址 215400 江蘇省蘇州市太倉港港口開發(fā)區(qū)鄰里中心303室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的制備方法，所述氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管包括基板、柵介質(zhì)層、溝道層、源電極和漏電極，其制備方法包括以下步驟：⑴基板清洗；⑵柵介質(zhì)層制備；⑶溝道層的制備；⑷源電極和漏電極的制備。本發(fā)明工藝合理，簡單合理，同時制備的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管對載流子具有良好抑制能力，提高器件和電路的可靠性，并簡化了閾值電壓補(bǔ)償電路設(shè)計的復(fù)雜性，而且，有利于在低溫下形成非晶態(tài)的薄膜，有利于保證器件制備的一致性、改善通過低溫工藝制造的器件的穩(wěn)定性。