基于外延層的X射線檢測器及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201980087441.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113302485A | 公開(公告)日 | 2021-08-24 |
申請公布號(hào) | CN113302485A | 申請公布日 | 2021-08-24 |
分類號(hào) | G01N23/223(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 曹培炎;劉雨潤 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳幀觀德芯科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 518071廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道塘朗社區(qū)信宜五路13號(hào)塘朗工業(yè)B區(qū)集悅城眾創(chuàng)產(chǎn)業(yè)園52棟201 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本文公開一種方法,其包括:在支撐在襯底(411)上的外延層(412)的第一表面(412A)上形成電觸點(diǎn)(119B),所述第一表面(412A)與所述襯底(411)相對;將所述外延層(412)鍵合至電子器件層(120),其中所述第一表面(412A)面向所述電子器件層(120),并且所述第一表面(412A)上的所述電觸點(diǎn)(119B)被鍵合至所述電子器件層(120)的所述電觸點(diǎn)(120X);通過移動(dòng)所述襯底(411)而暴露與所述第一表面(412A)相對的第二表面(412B);并且在所述第二表面(412B)上形成公共電極(119A)。 |
