一種生產(chǎn)單晶電熔二氧化鋯的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110461436.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113174636A 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN113174636A 申請公布日 2021-07-27
分類號 C30B29/16;C30B1/00;C30B33/00;C01G25/00;C01B32/914 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 初薛基;陳美育;魏爽;史鑫;吳鴻霖 申請（專利權(quán)）人 三祥新材股份有限公司
代理機構(gòu) 福州市博深專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張明
地址 355500 福建省寧德市壽寧縣城關(guān)解放街292號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及二氧化鋯生產(chǎn)技術(shù)，特別涉及一種生產(chǎn)單晶電熔二氧化鋯的方法，所述方法包括如下步驟：步驟1、將鋯英砂原料加入還原劑熔煉得電熔氧化鋯；步驟2、電熔氧化鋯添加解粒劑，繼續(xù)熔煉；步驟3、澆鑄，脫模，脫模后得到的氧化鋯錠移至粉化室進行充分粉化；步驟4、步驟3所得粉化后物料經(jīng)水洗，酸洗，脫水，烘干，煅燒，分級后，制得單晶狀的電熔二氧化鋯。本發(fā)明的有益效果在于：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供了一種免破碎或粉碎生產(chǎn)電熔二氧化鋯產(chǎn)品的方法，且產(chǎn)品為單晶狀態(tài)，粒度分布寬，可產(chǎn)生10目到1000目的電熔氧化鋯單晶產(chǎn)品。