一種基于化學(xué)氣相沉積的高溫原子透析制備石墨烯的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201110154588.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN102275907B | 公開(公告)日 | 2013-10-02 |
申請公布號 | CN102275907B | 申請公布日 | 2013-10-02 |
分類號 | C01B31/04(2006.01)I | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 瞿研 | 申請(專利權(quán))人 | 無錫第六元素高科技發(fā)展有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京中恒高博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 無錫格菲電子薄膜科技有限公司;無錫第六元素電子薄膜科技有限公司 |
地址 | 214154 江蘇省無錫市惠山區(qū)惠山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)智慧路1號清華創(chuàng)新大廈A2005室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種基于化學(xué)氣相沉積的高溫原子透析制備石墨烯的方法,涉及一種石墨烯材料的制備方法。步驟是,將荷包狀銅箔置于真空管式爐或者真空氣氛爐中,在除去真空腔內(nèi)氧氣的情況下,將氫氣注入真空腔中,并升溫至800-1100攝氏度,再將碳源氣體注入真空腔中,即得沉積石墨烯的荷包狀銅箔。本發(fā)明基于化學(xué)氣相沉積法,在封閉的荷包狀金屬襯底(例如銅箔)外表面上高溫裂解甲烷或其他碳?xì)錃怏w,所沉積的碳原子在高溫下透析到金屬襯底內(nèi)表面,在內(nèi)表面形成石墨烯薄膜。該方法石墨烯的形成速度較慢,所形成的石墨烯晶粒較大,從而提供一種制備超大晶粒石墨烯薄膜的方法。 |
