一種溝槽柵結構半導體整流器及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610148516.X 申請日 -
公開(公告)號 CN105810755B 公開(公告)日 2018-09-28
申請公布號 CN105810755B 申請公布日 2018-09-28
分類號 H01L29/872;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉 申請(專利權)人 杭州立昂微電子股份有限公司
代理機構 杭州杭誠專利事務所有限公司 代理人 尉偉敏;胡寅旭
地址 310018 浙江省杭州市下沙經濟技術開發(fā)區(qū)20號大街199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溝槽柵結構半導體整流器,外延層上部設有第一溝槽,第一溝槽內設有導電多晶硅,導電多晶硅與第一溝槽之間設有隔離層,隔離層上設有厚度小于隔離層的二氧化硅柵氧層,二氧化硅柵氧層向上延伸形成介質墻壁,介質墻壁的兩側設有導電多晶硅側墻,外延層上部與導電多晶硅側墻之間區(qū)域形成第二溝槽,外延層上部設有橫向均勻摻雜區(qū)和梯度摻雜區(qū),梯度摻雜區(qū)與隔離層接觸形成溝道,外延層下部、橫向均勻摻雜區(qū)、梯度摻雜區(qū)及隔離層之間設有間隔區(qū)。本發(fā)明采用厚隔離層與薄柵氧層結合的溝槽柵結構,具有短溝道和溝道摻雜梯度分布,正向導通特性佳。本發(fā)明還公開了一種溝槽柵結構半導體整流器制造方法,工藝窗口大,易于控制,光刻次數(shù)少。