一種溝槽柵結構半導體整流器及其制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201610148516.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN105810755B | 公開(公告)日 | 2018-09-28 |
申請公布號 | CN105810755B | 申請公布日 | 2018-09-28 |
分類號 | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/329 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉偉 | 申請(專利權)人 | 杭州立昂微電子股份有限公司 |
代理機構 | 杭州杭誠專利事務所有限公司 | 代理人 | 尉偉敏;胡寅旭 |
地址 | 310018 浙江省杭州市下沙經濟技術開發(fā)區(qū)20號大街199號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種溝槽柵結構半導體整流器,外延層上部設有第一溝槽,第一溝槽內設有導電多晶硅,導電多晶硅與第一溝槽之間設有隔離層,隔離層上設有厚度小于隔離層的二氧化硅柵氧層,二氧化硅柵氧層向上延伸形成介質墻壁,介質墻壁的兩側設有導電多晶硅側墻,外延層上部與導電多晶硅側墻之間區(qū)域形成第二溝槽,外延層上部設有橫向均勻摻雜區(qū)和梯度摻雜區(qū),梯度摻雜區(qū)與隔離層接觸形成溝道,外延層下部、橫向均勻摻雜區(qū)、梯度摻雜區(qū)及隔離層之間設有間隔區(qū)。本發(fā)明采用厚隔離層與薄柵氧層結合的溝槽柵結構,具有短溝道和溝道摻雜梯度分布,正向導通特性佳。本發(fā)明還公開了一種溝槽柵結構半導體整流器制造方法,工藝窗口大,易于控制,光刻次數(shù)少。 |
