半導(dǎo)體熱電堆紅外探測器及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710144113.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107356341A 公開（公告）日 2017-11-17
申請公布號 CN107356341A 申請公布日 2017-11-17
分類號 G01J5/14(2006.01)I;G01J5/12(2006.01)I;G01J5/10(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 劉偉 申請（專利權(quán)）人 杭州立昂微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 尉偉敏;閻忠華
地址 310018 浙江省杭州市市轄區(qū)下沙經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)20號大街199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體熱電堆紅外探測器及制造方法，包括單晶硅襯底，垂直于單晶硅襯底下表面并向上垂直延伸的若干個柱狀的熱電偶，所述熱電偶包括由第一材料構(gòu)成的第一實心柱和由第二材料構(gòu)成的第二實心柱，第一實心柱和第二實心柱平行延伸，第一實心柱和第二實心柱之間設(shè)有間隔，第一實心柱和第二實心柱外側(cè)均設(shè)有第三介質(zhì)層；每個熱電偶的第一實心柱和第二實心柱的頂部均通過伸出單晶硅襯底上表面的第一金屬層電連接，各個第一金屬層之間和各個第一金屬層之上均設(shè)有第一介質(zhì)層，第一介質(zhì)層上設(shè)有紅外線吸收膜。本發(fā)明具有易于制造，可靠性好的特點。