一種肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710171378.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN107359207A | 公開（公告）日 | 2017-11-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107359207A | 申請(qǐng)公布日 | 2017-11-17 |
| 分類號(hào) | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 杭州立昂微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 尉偉敏 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市市轄區(qū)下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種肖特基勢(shì)壘二極管，包括:包括至少一個(gè)半導(dǎo)體單元，所述半導(dǎo)體單元包括第二導(dǎo)電類型摻雜襯底，在所述襯底的一側(cè)上方同時(shí)設(shè)置有相互獨(dú)立的第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽和第二溝槽頂端開口處設(shè)置有金屬層，所述金屬層包括陰極金屬層和陽(yáng)極金屬層；沿所述第一溝槽內(nèi)壁設(shè)置有歐姆接觸金屬層，沿所述第二溝槽內(nèi)壁設(shè)置有肖特基勢(shì)壘金屬層，所述第一溝槽的導(dǎo)電層沿與襯底相反的方向延伸與陰極金屬層接觸，所述第二溝槽的導(dǎo)電層沿與襯底相反的方向延伸與陽(yáng)極金屬層接觸。另外，本發(fā)明還公開了一種肖特基勢(shì)壘二極管的制造方法。采用本發(fā)明，降低了正向?qū)ǖ膲航怠?/td> |
