熱電堆紅外探測(cè)器及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710155378.2 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN107403863A 公開(公告)日 2017-11-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN107403863A 申請(qǐng)公布日 2017-11-28
分類號(hào) H01L35/02(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉 申請(qǐng)(專利權(quán))人 杭州立昂微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 尉偉敏;閻忠華
地址 310018 浙江省杭州市市轄區(qū)下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種熱電堆紅外探測(cè)器及其制造方法,包括單晶硅襯底,垂直于單晶硅襯底下表面并向上垂直延伸的若干個(gè)柱狀的熱電偶,所述熱電偶包括由第一材料構(gòu)成的實(shí)心柱和包圍實(shí)心柱的由第二材料構(gòu)成的空心柱,所述實(shí)心柱和空心柱之間和空心柱外側(cè)均設(shè)有第三介質(zhì)層;所述實(shí)心柱和空心柱的頂部通過伸出單晶硅襯底上表面的第一金屬層電連接,各個(gè)第一金屬層之間和各個(gè)第一金屬層之上均設(shè)有第一介質(zhì)層,第一介質(zhì)層上設(shè)有紅外線吸收膜,所述第一介質(zhì)層下表面與襯底上表面之間形成空腔,單晶硅襯底下表面設(shè)有第二介質(zhì)層。本發(fā)明具有易于制造,可靠性好的特點(diǎn)。