一種溝槽肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610060658.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105576045B 公開（公告）日 2018-04-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN105576045B 申請(qǐng)公布日 2018-04-17
分類號(hào) H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州立昂微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 代理人 尉偉敏
地址 310018 浙江省杭州市下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溝槽肖特基勢(shì)壘二極管，包括有源區(qū)和截止區(qū)，有源區(qū)自上而下依次由陽極金屬層、肖特基勢(shì)壘金屬層、第一導(dǎo)電類型輕摻雜的N型外延層、第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的單晶硅襯底和陰極金屬層構(gòu)成，N型外延層上部設(shè)有若干溝槽，溝槽橫向間隔設(shè)置，肖特基勢(shì)壘金屬層與相鄰溝槽之間的N型外延層的頂面形成肖特基勢(shì)壘接觸，溝槽內(nèi)填充有導(dǎo)電多晶硅，導(dǎo)電多晶硅與溝槽之間設(shè)有隔離層，隔離層的內(nèi)部設(shè)有真空氣隙，溝槽在有源區(qū)和截止區(qū)相互連通。該溝槽肖特基勢(shì)壘二極管具有反向阻斷電壓高、反向偏壓低忽然反向漏電低等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明還公開了一種溝槽肖特基勢(shì)壘二極管的制造方法，該方法具有制造方法步驟少，制造成本等優(yōu)點(diǎn)。