一種肖特基勢(shì)壘半導(dǎo)體整流器及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610148515.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105789334B 公開（公告）日 2018-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN105789334B 申請(qǐng)公布日 2018-11-23
分類號(hào) H01L29/872;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州立昂微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 代理人 尉偉敏;胡寅旭
地址 310018 浙江省杭州市下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)20號(hào)大街199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種肖特基勢(shì)壘半導(dǎo)體整流器，包括肖特基勢(shì)壘金屬層、外延層及第一溝槽，第一溝槽內(nèi)設(shè)有隔離層及二氧化硅柵氧層，二氧化硅柵氧層向上延伸形成介質(zhì)墻壁，介質(zhì)墻壁兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)電多晶硅側(cè)墻，外延層上部與導(dǎo)電多晶硅側(cè)墻之間設(shè)有第二溝槽，外延層上部設(shè)有橫向均勻摻雜區(qū)和梯度摻雜區(qū)，梯度摻雜區(qū)與二氧化硅柵氧層之間設(shè)有溝道，外延層下部、橫向均勻摻雜區(qū)、梯度摻雜區(qū)及二氧化硅柵氧層之間設(shè)有間隔區(qū)，第二溝槽中設(shè)有第三溝槽，肖特基勢(shì)壘金屬層位于第三溝槽內(nèi)側(cè)表面與外延層接觸形成肖特基勢(shì)壘。本發(fā)明正向?qū)ㄌ匦耘c器件可靠性好。本發(fā)明還公開了一種肖特基勢(shì)壘半導(dǎo)體整流器制造方法，工藝窗口大，易于控制，光刻次數(shù)少，制造成本低。