一種半導(dǎo)體器件頂層金屬的終端結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510827026.8 申請日 -
公開（公告）號 CN105679756B 公開（公告）日 2018-08-10
申請公布號 CN105679756B 申請公布日 2018-08-10
分類號 H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/311;H01L21/82 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張瑞麗 申請（專利權(quán)）人 杭州立昂微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州宇信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張宇娟;代轉(zhuǎn)嫚
地址 310018 浙江省杭州市下沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)20號路199號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件頂層金屬的終端結(jié)構(gòu)，其中半導(dǎo)體器件包括實現(xiàn)半導(dǎo)體器件功能的芯片區(qū)域、圍繞芯片區(qū)域的劃片道、從芯片區(qū)域延伸至劃片道的絕緣介質(zhì)層，以及頂層金屬；其中劃片道為溝槽結(jié)構(gòu)，該溝槽在外延層前表面開槽而設(shè)置，其溝槽側(cè)壁位于劃片道與芯片區(qū)域的交界處，即形成了本發(fā)明的頂層金屬的終端。本發(fā)明還公開了一種制造本發(fā)明半導(dǎo)體器件頂層金屬的終端的方法。本發(fā)明所形成的頂層金屬的終端結(jié)構(gòu)，其頂層金屬的腐蝕界面形貌易控制，能夠形成陡峭的腐蝕邊界；且該結(jié)構(gòu)設(shè)計使得頂層金屬光刻和腐蝕的工藝窗口增大；還可以縮小劃片道以節(jié)約成本；同時晶圓在有效管芯邊緣的不完整管芯也能夠在探針測試時被篩選出來。